介紹了一款滿足于5G通信發展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調點的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作狀態的線性度，提高了三階交調點指標；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態下保持穩定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調點達到40 dBm，線性度高，適用于5G通信信號處理系統。
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202306 射頻放大器 GaAs HBT 三階交調點 高線性度
摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質結雙極型晶體
管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管在
大功率輸入下偏置點變化及自熱效應引起增益及線性度惡化的問題。測試結果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段
內，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
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202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
在經歷2016年相對平穩的一年之后，2017年RF GaAs設備市場收益增長了超過7%。盡管GaAs設備被應用在各種商業和國防應用中，但無線市場仍然是該技術的主要用戶。 移動手機將繼續定義收益軌跡，但新興的5G網絡部署將有助于未來的增長。 Strategy Analytics高級半導體應用(ASA)服務最新發布的研究報告《RF GaAs設備行業預測：2017年 - 2022年》預測，RF GaAs收益將在預測期結束時突破90億美元的里程碑?！ trategy Analytics高級半導體應用(ASA
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RF GaAs
Analog?Devices,?Inc.?今日宣布收購位于美國加利福尼亞州Santa?Rosa的OneTree?Microdevices公司。ADI公司是業界領先的混合信號解決方案供應商，提供從數據轉換器、時鐘到控制/電源調節等電纜接入解決方案。OneTree?Microdevices的GaAs和GaN放大器具有業內最佳的線性度、輸出功率和效率，收購該公司及產品組合后，使ADI公司能夠支持下一代電纜接入網絡的整個信號鏈。該筆交易的財務條款未予
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ADI GaAs
美國高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射頻前端(RFFE)解決方案，包括首度推出砷化鎵(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模塊，與首款支持載波聚合(Carrier Aggregation，CA)的動態天線調諧解決方案。
穩懋月合并營收
據了解，高通為搶攻GaAs的功率放大器市場大餅已擴大委外，臺灣GaAs晶圓代工廠穩懋勇奪代工大單。 穩懋是全球最大GaAs晶圓代工廠，多數智能手機內建PA或RF(射頻)組件皆由穩懋代工。 法人表示，穩懋近期股價表現強
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高通 GaAs
由哥倫比亞大學物理學助理教授Cory Dean，弗吉尼亞大學電氣和計算機工程教授Avik Ghosh以及哥倫比亞大學Wang Fong-Jen名譽工程教授James Hone領導的一個團隊，第一次直接觀察到了在電子通過導電材料中兩個區域之間的邊界時發生了負折射。這種效應在2007年首次被預測，但一直以來都難以從實驗上來證實。研究人員現在能夠在石墨烯中觀察到了這種效應，證明在原子級別的厚度的材料中，電子表現得像光線一樣，可以通過透鏡和棱鏡等光學器件進行操縱。這項發表9月30日的《科學》雜志上的研究結果可
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石墨烯 GaAs
5G已經成為通信領域里的重點研究對象，5G 標淮引爆全球群英戰，美國率先完成 5G 頻譜分配，在 5G 標淮制定中誰掌握話語權，將會在新一代移動通信技術革命中占據先機。而隨著2020年5G逐漸步入商用，使物聯網逐漸成為現實；以及國防信息化推進加速，化合物半導體將來爆發。
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5G GaAs
當前，全球半導體產業正處于深度變革，化合物半導體成為產業發展新的關注點，我國應加緊產業布局，搶占發展的主動權。
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GaAs GaN
瑞典隆德4月22日，在一項針對太陽能的重大突破技術上，瑞典的先進材料新興公司Sol Voltaics AB已經證明其納米線技術在薄膜上取得了校準和定向的成功。此項成就彰顯太陽能納米線制造迄今最重要的技術里程碑，為光伏(PV)模組實現27%及更高的轉換效率鋪平了道路—此舉將使現今的太陽能模組轉換效率提升50%?！ 〖{米線在太陽能發電上展現出了前景可期的特性，但由于高深寬比及材料特性卻使納米線非常難以校準。通過在標準尺寸晶圓上以厘米級控制納米線的校準和定向，Sol Volta
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GaAs 模組
本文介紹了一款用于無線局域網802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結構，飽和輸出功率可達41dBm，功率附加效率達到40%，功率增益為38dB。此外芯片內部設計了50歐姆的輸入輸出匹配電路與片內ESD保護電路，方便用戶安全使用。
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功率放大器 802.11n GaAs HBT 熱分流 201604
硅基GaN潛力大
近日，MACOM在京召開新聞發布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”
圖1 GaN的巨大潛力
如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
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GaAs GaN
根據StrategyAnalytics高端半導體應用(ASA)電子數據表模型和GaAs器件預測與前景展望報告顯示，手機終端中砷化鎵的應用仍然是GaAs器件增長的主要驅動力，GaAs器件市場繼2014年創下射頻器件收入記錄后，有望在今年突破70億美元大關，預計到2019年總收入將飆升至峰值80億美元。報告提到，雖然價格侵蝕與技術競爭將削減其增長速度，但是GaAs器件收入將繼續保持增長的勢頭。
報告得出結論，無線應用仍然是GaAs器件的主要市場，占據了總額的約80%。其中,無線應用中的手機終端占據了
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GaAs 射頻器
0 引言
隨著無線通信的快速發展和廣泛普及，無線系統標準對收發機的性能要求越來越高。功率放大器作為發射機的主要組成部分，其指標決定著發射機的性能，如效率 決定著整機功耗，線性度決定著整機的動態范圍，諧波分量大小又是發射機線性度的度量。傳統的功率放大器為了獲得較高效率，功放管通常會工作于飽和狀態，這 時將有大量的諧波分量產生。如果不對諧波分量加以回收和抑制，這不單會造成能量的浪費，降低了其效率，還會對其他信道的信號造成干擾。
通常功率放大器為了獲得較高的效率和較低的諧波分量都使得功率放大器工
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功率放大器 GaAs
“硅是上帝送給人類的禮物，整個芯片業幾乎都拿到了這份禮物，無線通信領域應該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時如是說。他認為傳統采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代“該結束”了，純CMOS工藝RF前端IC將在未來十年內主宰移動互聯網和物聯網時代。
業界對CMOS PA產品的熱情一直沒有減退。2014年6月，高通(Qualcomm)并購CMOS PA供應商Black S
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CMOS GaAs ZigBee
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